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10月DRAM与NAND闪存价格反弹,涨价风潮或将来袭

作者:王东东 来源:网络整理 发表:2023-11-04 12:01:54 我要点评 作者ID:3

10月,DRAM与NAND闪存价格反弹,涨价风潮或将来袭。这是由于全球供应链紧张、原材料价格上涨以及需求增加等多种因素共同作用的结果。那么,这次涨价风潮会对我们的生活产生...

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10月,DRAM与NAND闪存价格反弹,涨价风潮或将来袭。这是由于全球供应链紧张、原材料价格上涨以及需求增加等多种因素共同作用的结果。

那么,这次涨价风潮会对我们的生活产生什么影响?我们又该如何应对呢?

存储行业的减产效应正式显现,DRAM和NAND闪存的固定交易价格在过去两年和过去三个月首次反弹。据统计,截至10月31日,DRAM DDR4产品DDR4 8千兆位1G8 213MHz的平均固定交易价格为1.50美元,环比增长15.38%。

截至同日,用于NAND存储卡/USB的128Gb 16G8多层单元(MLC)一般产品的平均固定交易价格为3.88美元,环比上涨1.59%。

据《台湾省经济日报》报道,半导体行业多位消息人士表示,三星本季度将有NAND Flash芯片报价上涨10%至20%后,决定明年一、二季度逐季上涨20%,远超业界预期。

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